器件3D模型

￥ 0.062

NTMD4N03R2 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

功率MOSFET 4安培， 30伏特N通道SO- 8双 Power MOSFET 4 Amps, 30 Volts N−Channel SO−8 Dual

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NTMD4N03R2 数据手册 (8 页)

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NTMD4N03R2 数据手册 (8 页)

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NTMD4N03R2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

4.00 A

封装

SOIC-8

漏源极电阻

48.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

2 W

漏源极电压(Vds)

30.0 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

4.00 A

上升时间

14 ns

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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NTMD4N03R2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

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NTMD4N03R2 符合标准

NTMD4N03R2 海关信息

NTMD4N03R2 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.11 MByte

NTMD4N03R2 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.06 MByte

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N 通道 MOSFET，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

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功率MOSFET 4安培， 30伏特N通道SO- 8双 Power MOSFET 4 Amps, 30 Volts N−Channel SO−8 Dual

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