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FCB36N60N
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FCB36N60N 数据手册 (8 页)
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FCB36N60N 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
D2PAK
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
36A

FCB36N60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

FCB36N60N 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.35 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.71 MByte

FCB36N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCB36N60NTM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 600 V, 0.081 ohm, 10 V, 2 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor SupreMOS 系列 Si N沟道 MOSFET FCB36N60NTM, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET SupreMOS® 600 V , 36 A, 90英里© N-Channel SupreMOS® MOSFET 600 V, 36 A, 90 mΩ
ON Semiconductor(安森美)
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