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CPC5602C
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CPC5602C 数据手册 (5 页)
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CPC5602C 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
350 V
额定电流
5.00 mA
封装
SOT-223-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
14 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
350 V
漏源击穿电压
350 V
连续漏极电流(Ids)
5.00 mA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
40 ℃

CPC5602C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)

CPC5602C 数据手册

IXYS Semiconductor
5 页 / 0.1 MByte
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.09 MByte

CPC5602 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
CPC 系列 350 V 5 mA N 沟道 表面贴装 耗尽型 FET - SOT-223
Clare
CLARE  CPC5602C  场效应管, MOSFET, N沟道, 耗尽型, 350V, 8Ω, 5MA, SOT-223-4, 整卷
Clare
N沟道枯竭FET模式 •低电阻为10欧姆•高输入阻抗•低输入和输出泄漏•支持组件LITELINK数据访问安排(DAA)•常开开关•电信•恒流源
IXYS Semiconductor
Littelfuse(力特)
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