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FCH023N65S3-F155 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

RF模块、IC及配件

封装:

TO-247-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 650 V, 0.0195 ohm, 10 V, 4.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FCH023N65S3-F155 数据手册 (3 页)

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FCH023N65S3-F155 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0195 Ω

功耗

595 W

阈值电压

4.5 V

漏源极电压(Vds)

650 V

上升时间

55 ns

输入电容值(Ciss)

7160pF @400V(Vds)

下降时间

29 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

595000 mW

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FCH023N65S3-F155 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

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FCH023N65S3-F155 符合标准

FCH023N65S3-F155 海关信息

FCH023N65S3-F155 概述

FCH023N65S3-F155 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.7 MByte

FCH023N65S3-F155 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

66 页 / 0.58 MByte

FCH023N65S3-F155 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

52 页 / 0.26 MByte

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通孔 N 通道 650V 75A（Tc） 595W（Tc） TO-247

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