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FCH023N65S3L4
14.771
FCH023N65S3L4 数据手册 (12 页)
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FCH023N65S3L4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
4 Pin
封装
TO-247-4
极性
N-CH
功耗
595000 mW
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
75A
上升时间
30 ns
输入电容值(Ciss)
7160pF @400V(Vds)
下降时间
7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
595W (Tc)

FCH023N65S3L4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
高度
22.74 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FCH023N65S3L4 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
12 页 / 1.54 MByte

FCH023N65S3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 650 V, 0.0195 ohm, 10 V, 4.5 V
ON Semiconductor(安森美)
通孔 N 通道 650V 75A(Tc) 595W(Tc) TO-247
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCH023N65S3_F155  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 75 A, 650 V, 0.0195 ohm, 10 V, 4.5 V 新
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
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