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FCH22N60N
3.168
FCH22N60N 数据手册 (9 页)
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FCH22N60N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.14 Ω
极性
N-Channel
功耗
205 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
连续漏极电流(Ids)
22A
上升时间
16.7 ns
输入电容值(Ciss)
1950pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
205 W
下降时间
4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
205W (Tc)

FCH22N60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.95 mm
宽度
5.03 mm
高度
21 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FCH22N60N 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.61 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
13 页 / 0.57 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.44 MByte

FCH22N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCH22N60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 22 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor SupreMOS 系列 Si N沟道 MOSFET FCH22N60N, 22 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
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