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FCMT199N60
1.869
FCMT199N60 数据手册 (9 页)
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FCMT199N60 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
Power-88-4
漏源极电阻
199 mΩ
极性
N-CH
功耗
208 W
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
连续漏极电流(Ids)
20.2A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
2950pF @100V(Vds)
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
208W (Tc)

FCMT199N60 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
8 mm
宽度
8 mm
高度
1.05 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FCMT199N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.91 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.13 MByte

FCMT199 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCMT199N60, 20 A, Vds=600 V, 4引脚 电源 88封装
Fairchild(飞兆/仙童)
SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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