￥ 3.001

FCP20N60 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FCP20N60 数据手册 (20 页)

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FCP20N60 数据手册 (20 页)

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FCP20N60 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

20.0 A

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.15 Ω

极性

N-Channel

功耗

208 W

阈值电压

5 V

输入电容

3.08 nF

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

20.0 A

上升时间

140 ns

输入电容值(Ciss)

3080pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

208 W

下降时间

65 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

208W (Tc)

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FCP20N60 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

10.1 mm

宽度

4.7 mm

高度

9.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FCP20N60 符合标准

FCP20N60 海关信息

FCP20N60 概述