￥ 1.255

FDA18N50 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDA18N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 500 V, 0.22 ohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDA18N50 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FDA18N50 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FDA18N50 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-3-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.22 Ω

极性

N-Channel

功耗

239 W

阈值电压

5 V

输入电容

2.86 nF

栅电荷

60.0 nC

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

19.0 A

上升时间

165 ns

输入电容值(Ciss)

2860pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

239 W

下降时间

90 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

239 W

查看数据手册 >

FDA18N50 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.8 mm

宽度

5 mm

高度

18.9 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

FDA18N50 符合标准

FDA18N50 海关信息