￥ 1.636

IKB20N60T 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-263-3

描述:

IGBT的沟槽场终止和技术，柔软，快速恢复反并联EMCON何二极管 IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IKB20N60T 数据手册 (13 页)

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IKB20N60T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

额定功率

166 W

功耗

166 W

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

41 ns

额定功率(Max)

166 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

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IKB20N60T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.31 mm

宽度

9.45 mm

高度

4.57 mm

工作温度

-40℃ ~ 175℃

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IKB20N60T 符合标准

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