￥ 2.439

FDA59N30 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

描述:

FDA59N30 系列 300 V 0.047 Ohms N 沟道 Mosfet TO-3PN

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDA59N30 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FDA59N30 数据手册 (8 页)

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FDA59N30 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-3-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.047 Ω

功耗

500 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

300 V

上升时间

575 ns

输入电容值(Ciss)

4670pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

500 W

下降时间

200 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500000 mW

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FDA59N30 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FDA59N30 符合标准

FDA59N30 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 1.8 MByte

FDA59N30 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

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FDA59N30 产品修订记录

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