￥ 0.402

FDC606P 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC606P, 6 A, Vds=12 V, 6引脚 SOT-23封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDC606P 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FDC606P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOT-23-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.026 Ω

功耗

1.6 W

漏源极电压(Vds)

12 V

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

1699pF @6V(Vds)

额定功率(Max)

800 mW

下降时间

70 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.6 W

查看数据手册 >

FDC606P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3 mm

宽度

1.7 mm

高度

1 mm

查看数据手册 >

FDC606P 符合标准

FDC606P 概述

FDC606P 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.21 MByte

FDC606P 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.09 MByte

FDC606P 产品描述及参数

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.2 MByte

FDC606P 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

15 页 / 0.57 MByte

FDC606 数据手册

FDC606P 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC606P 晶体管, MOSFET, P沟道, 6 A, -12 V, 26 mohm, -4.5 V, -500 mV

FDC606P 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC606P, 6 A, Vds=12 V, 6引脚 SOT-23封装

FDC606P_NF073 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号