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FDC6310P
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FDC6310P 数据手册 (5 页)
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FDC6310P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
-20.0 V
额定电流
-2.20 A
封装
TSOT-23-6
通道数
2 Channel
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.1 Ω
极性
Dual P-Channel, P-Channel
功耗
960 mW
输入电容
337 pF
栅电荷
3.70 nC
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20 V
栅源击穿电压
±12.0 V
连续漏极电流(Ids)
2.20 A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
337pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
700 mW
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
0.96 W

FDC6310P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.7 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDC6310P 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.06 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.06 MByte

FDC6310 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC6310P  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.2 A, -20 V, 0.1 ohm, -4.5 V, -1 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDC6310P, 2.2 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
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