￥ 3.87

IXDR30N120D1 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXDR30N120D1 单晶体管, IGBT, 隔离, 50 A, 2.4 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXDR30N120D1 数据手册 (4 页)

典型应用电路图在1 页

IXDR30N120D1 数据手册 (4 页)

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IXDR30N120D1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247

针脚数

3 Position

极性

N-Channel

功耗

200 W

上升时间

70 ns

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

反向恢复时间

40 ns

额定功率(Max)

200 W

下降时间

70 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

200000 mW

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IXDR30N120D1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

16.13 mm

宽度

5.21 mm

高度

21.34 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IXDR30N120D1 符合标准

IXDR30N120D1 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.09 MByte

IXDR30N120D1 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

8 页 / 0.13 MByte

IXDR30N120 数据手册

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IXDR30N120D1 数据手册

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