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FDC6321C 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET FDC6321C, 460 mA，680 mA, Vds=25 V, 6引脚 SOT-23封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDC6321C 数据手册 (8 页)

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FDC6321C 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOT-23-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

450 mΩ

功耗

900 mW

阈值电压

800 mV

漏源极电压(Vds)

25 V

输入电容值(Ciss)

50pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

700 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

900 mW

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FDC6321C 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3 mm

宽度

1.7 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDC6321C 符合标准

FDC6321C 概述

FDC6321C 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.12 MByte

FDC6321C 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.22 MByte

FDC6321C 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.04 MByte

FDC6321C 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.71 MByte

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