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IRFR220NTRPBF
0.126
IRFR220NTRPBF 数据手册 (11 页)
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IRFR220NTRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
额定功率
43 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.6 Ω
极性
N-CH
功耗
43 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
连续漏极电流(Ids)
5A
上升时间
11 ns
输入电容值(Ciss)
300pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
43 W
下降时间
12 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
43W (Tc)

IRFR220NTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFR220NTRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.21 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.15 MByte

IRFR220 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Intersil(英特矽尔)
4.6A , 200V , 0.800 Ohm的N通道功率MOSFET 4.6A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
Philips(飞利浦)
Infineon(英飞凌)
Samsung(三星)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Harris
N沟道 200V 4.6A
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