FDC637AN 数据手册 - Freescale（飞思卡尔）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC637AN  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 20 V, 24 mohm, 4.5 V, 820 mV

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC637BNZ  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 20 V, 0.021 ohm, 4.5 V, 800 mV

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC637AN, 6.2 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装

PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。