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FDC637AN
0.12
FDC637AN 数据手册 (7 页)
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FDC637AN 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
20.0 V
额定电流
6.20 A
封装
TSOT-23-6
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.024 Ω
极性
N-Channel
功耗
1.6 W
阈值电压
820 mV
输入电容
1.12 nF
栅电荷
10.5 nC
漏源极电压(Vds)
20 V
栅源击穿电压
±8.00 V
连续漏极电流(Ids)
6.20 A
上升时间
13 ns
输入电容值(Ciss)
1125pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
800 mW
下降时间
11 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.6W (Ta)

FDC637AN 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.7 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDC637AN 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.59 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
108 页 / 1.94 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.34 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.23 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.15 MByte

FDC637 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC637AN  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 20 V, 24 mohm, 4.5 V, 820 mV
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC637BNZ  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 20 V, 0.021 ohm, 4.5 V, 800 mV
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC637AN, 6.2 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
ON Semiconductor(安森美)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
Freescale(飞思卡尔)
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