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FDC658P
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FDC658P数据手册
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February 1999
FDC658P
Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench
TM
MOSFET
General Description Features
Absolute Maximum Ratings T
A
= 25°C unless otherwise note
Symbol Parameter Ratings Units
V
DSS
Drain-Source Voltage -30 V
V
GSS
Gate-Source Voltage - Continuous ±20 V
I
D
Drain Current - Continuous (Note 1a) -4 A
- Pulsed -20
P
D
Maximum Power Dissipation (Note 1a) 1.6 W
(Note 1b)
0.8
T
J
,T
STG
Operating and Storage Temperature Range -55 to 150 °C
THERMAL CHARACTERISTICS
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a) 78 °C/W
R
θJC
Thermal Resistance, Junction-to-Case (Note 1) 30 °C/W
FDC658P Rev.C
This P-Channel Logic Level MOSFET is produced
using Fairchild Semiconductor's advanced
PowerTrench process that has been especially tailored
to minimize the on-state resistance and yet maintain
low gate charge for superior switching performance.
These devices are well suited for notebook computer
applications: load switching and power management,
battery charging circuits, and DC/DC conversion.
-4 A, -30 V. R
DS(ON)
= 0.050 @ V
GS
= -10 V
R
DS(ON)
= 0.075 @ V
GS
= -4.5 V.
Low gate charge (8nC typical).
High performance trench technology for extremely low
R
DS(ON)
.
SuperSOT
TM
-6 package: small footprint (72% smaller than
standard SO-8); low profile (1mm thick).
SOIC-16
SOT-23
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223SuperSOT
TM
-6
D
D
D
S
D
G
SuperSOT -6
TM
.658
pin
1
3
5
6
4
1
2
3
© 1999 Fairchild Semiconductor Corporation

FDC658P 数据手册

Freescale(飞思卡尔)
5 页 / 0.1 MByte

FDC658 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC658P  晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -30 V, 0.041 ohm, -10 V, -1.7 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC658AP  晶体管, MOSFET, P沟道, 4 A, -30 V, 0.044 ohm, -10 V, -1.8 V
ON Semiconductor(安森美)
FDC658P 系列 30 V 50 mOhm 单 P 沟道 逻辑电平 PowerTrench Mosfet SSOT-6
ON Semiconductor(安森美)
PowerTrench® P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
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