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FDC855N 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC855N 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 30 V, 0.0207 ohm, 10 V, 2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDC855N 数据手册 (6 页)

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FDC855N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOT-23-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.0207 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.6 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

6.1A

上升时间

2 ns

输入电容值(Ciss)

655pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

800 mW

下降时间

2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.6W (Ta)

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FDC855N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3 mm

宽度

1.7 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDC855N 符合标准

FDC855N 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

6 页 / 0.27 MByte

FDC855N 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.09 MByte

FDC855N 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.04 MByte

FDC855N 产品修订记录

Fairchild（飞兆/仙童）

4 页 / 0.17 MByte

FDC855 数据手册

FDC855N 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC855N 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 30 V, 0.0207 ohm, 10 V, 2 V

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