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FDD10N20LZ
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FDD10N20LZ 数据手册 (8 页)
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FDD10N20LZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
DPAK
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
7.6A

FDD10N20LZ 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.23 MByte

FDD10N20 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.6 A, 200 V, 0.3 ohm, 10 V, 3 V
Fairchild(飞兆/仙童)
Freescale(飞思卡尔)
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