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FDD10N20LZTM 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

TO-252-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 7.6 A, 200 V, 0.3 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDD10N20LZTM 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FDD10N20LZTM 数据手册 (8 页)

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FDD10N20LZTM 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.3 Ω

功耗

83 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

200 V

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

440pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

56 W

下降时间

25 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

83000 mW

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FDD10N20LZTM 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

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ON Semiconductor（安森美）

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