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FDD1600N10ALZ 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252

描述:

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD1600N10ALZ, 6.8 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDD1600N10ALZ 数据手册 (10 页)

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FDD1600N10ALZ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.124 Ω

功耗

14.9 W

阈值电压

2.8 V

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

2 ns

输入电容值(Ciss)

169pF @50V(Vds)

下降时间

2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

14.9 W

FDD1600N10ALZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

FDD1600N10ALZ 符合标准

FDD1600N10ALZ 概述

FDD1600N10ALZ 数据手册

FDD1600N10ALZ 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.57 MByte

FDD1600N10ALZ 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 0.67 MByte

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