￥ 2.03

FDMD8560L 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

PowerWDFN-8

描述:

双路场效应管, MOSFET, PowerTrench, 双N沟道, 93 A, 60 V, 0.0025 ohm, 10 V, 1.6 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDMD8560L 数据手册 (7 页)

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FDMD8560L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerWDFN-8

针脚数

10 Position

漏源极电阻

0.0025 Ω

功耗

2.2 W

阈值电压

1.6 V

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

7420pF @30V(Vds)

额定功率(Max)

2.2 W

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2200 mW

FDMD8560L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDMD8560L 符合标准

FDMD8560L 海关信息

FDMD8560L 数据手册

FDMD8560L 产品设计参考手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.36 MByte

FDMD8560L 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

18 页 / 1.06 MByte

FDMD8560 数据手册

FDMD8560L 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

双路场效应管, MOSFET, PowerTrench, 双N沟道, 93 A, 60 V, 0.0025 ohm, 10 V, 1.6 V

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