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FDD6N25TM 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

FDD6N25 系列 250 V 1.1 Ohm 表面贴装 N 沟道 Mosfet D-PAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDD6N25TM 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FDD6N25TM 数据手册 (8 页)

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FDD6N25TM 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.9 Ω

功耗

50 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

250 V

上升时间

25 ns

输入电容值(Ciss)

194pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

50 W

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

50 W

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FDD6N25TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

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FDD6N25TM 符合标准

FDD6N25TM 概述

FDD6N25TM 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.88 MByte

FDD6N25TM 其他数据使用手册

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22 页 / 1.27 MByte

FDD6N25TM 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.87 MByte

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