￥ 54.921

FDD8424H 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-5

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD8424H 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 9 A, 40 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.7 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDD8424H 数据手册 (12 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FDD8424H 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

5 Pin

封装

TO-252-5

通道数

2 Channel

针脚数

5 Position

漏源极电阻

0.019 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

3.1 W

阈值电压

1.7 V

漏源极电压(Vds)

40 V

漏源击穿电压

40 V

连续漏极电流(Ids)

9.00 A

输入电容值(Ciss)

1000pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

1.3 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.1 W

查看数据手册 >

FDD8424H 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

FDD8424H 符合标准

FDD8424H 海关信息

FDD8424H 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

12 页 / 0.55 MByte

FDD8424H 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

11 页 / 0.35 MByte

FDD8424H 产品修订记录

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.87 MByte

FDD8424H 其他参考文件

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.14 MByte

FDD8424 数据手册

FDD8424H 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD8424H 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 9 A, 40 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.7 V

FDD8424H 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor PowerTrench 系列双 Si N/P沟道 MOSFET FDD8424H, 6.5 A，9 A, Vds=40 V, 5引脚 DPAK (TO-252)封装

FDD8424H_F085A 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

PowerTrench® 双 N/P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDD8424H_F085 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FDD8424H-F085A 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

PowerTrench® 双 N/P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDD8424H-F085A 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor PowerTrench 系列双 Si N/P沟道 MOSFET FDD8424H-F085A, 20 A, Vds=40 V, 5引脚 DPAK (TO-252)封装

FDD8424H_F085A 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FDD8424H_11 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

双N和P沟道MOSFET PowerTrenchÂ® N通道： 40V ， 20A ， 24mÎ © P通道： -40V ， -20A ， 54mÎ © Dual N & P-Channel PowerTrenchÂ® MOSFET N-Channel: 40V, 20A, 24mÎ© P-Channel: -40V, -20A, 54mÎ©

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号