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FDD8647L 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD8647L 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 40 V, 0.0071 ohm, 10 V, 2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDD8647L 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页

FDD8647L 数据手册 (9 页)

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FDD8647L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0071 Ω

极性

N-Channel

功耗

43 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

40 V

连续漏极电流(Ids)

14A

上升时间

3 ns

输入电容值(Ciss)

1640pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

3.1 W

下降时间

2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.1W (Ta), 43W (Tc)

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FDD8647L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDD8647L 符合标准

FDD8647L 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

9 页 / 0.17 MByte

FDD8647L 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

18 页 / 0.94 MByte

FDD8647L 产品修订记录

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.87 MByte

FDD8647 数据手册

FDD8647L 数据手册

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD8647L 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 40 V, 0.0071 ohm, 10 V, 2 V

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ON Semiconductor（安森美）

FDD8647L 系列 40 V 13 mOhm N 沟道 PowerTrench® MOSFET - TO-252-3

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