￥ 0.079

FDFME3N311ZT 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

MicroFET-6

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDFME3N311ZT 场效应管, MOSFET, N沟道, 1.6A, 30V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDFME3N311ZT 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FDFME3N311ZT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

MicroFET-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.299 Ω

极性

N-Channel

功耗

500 mW

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

1.60 A

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

75pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

600 mW

下降时间

1.4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.4W (Ta)

查看数据手册 >

FDFME3N311ZT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

1.6 mm

宽度

1.6 mm

高度

0.55 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

FDFME3N311ZT 符合标准

FDFME3N311ZT 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

9 页 / 0.32 MByte

FDFME3N311ZT 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.27 MByte

FDFME3N311 数据手册

FDFME3N311ZT 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDFME3N311ZT 场效应管, MOSFET, N沟道, 1.6A, 30V

FDFME3N311ZT 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDFME3N311ZT, 1.8 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号