￥ 1.962

STGW40NC60V 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

描述:

N沟道50A - 600V TO- 247超高速IGBT PowerMESH⑩ N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 Hyper Fast PowerMESH⑩ IGBT

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STGW40NC60V 数据手册 (10 页)

原理图在1 页

STGW40NC60V 数据手册 (10 页)

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STGW40NC60V 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

50.0 A

封装

TO-247-3

极性

N-Channel

功耗

260 W

上升时间

17.0 ns

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

额定功率(Max)

260 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

260000 mW

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STGW40NC60V 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.75 mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STGW40NC60V 符合标准

STGW40NC60V 海关信息

STGW40NC60V 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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