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FDFS2P106A
器件3D模型
0.671
FDFS2P106A 数据手册 (6 页)
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FDFS2P106A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-3.00 A
封装
SOIC-8
通道数
1 Channel
漏源极电阻
110 mΩ
极性
P-Channel
功耗
2 W
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
-3.00 A
上升时间
11 ns
输入电容值(Ciss)
714pF @30V(Vds)
额定功率(Max)
900 mW
下降时间
8.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
900mW (Ta)

FDFS2P106A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDFS2P106A 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.08 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.86 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

FDFS2P106 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
集成的60V P沟道PowerTrench MOSFET剖和肖特基二极管 Integrated 60V P-Channel PowerTrench剖 MOSFET and Schottky Diode
ON Semiconductor(安森美)
FDFS2P106A: 集成式 P 沟道,Power Trench MOSFET 和肖特基二极管,-60V,-3.0 A,110mΩ
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