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FDG1024NZ
器件3D模型
1.922
FDG1024NZ 数据手册 (7 页)
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FDG1024NZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SC-70-6
通道数
2 Channel
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.16 Ω
极性
Dual N-Channel
功耗
360 mW
阈值电压
800 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20 V
连续漏极电流(Ids)
1.2A
上升时间
1.7 ns
输入电容值(Ciss)
150pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
300 mW
下降时间
1.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
0.3 W

FDG1024NZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDG1024NZ 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.28 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.37 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.17 MByte

FDG1024 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG1024NZ  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1.2 A, 20 V, 0.16 ohm, 4.5 V, 800 mV
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDG1024NZ, 1.2 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装
Freescale(飞思卡尔)
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