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IRF7769L2TRPBF
1.341
IRF7769L2TRPBF 数据手册 (11 页)
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IRF7769L2TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
15 Pin
封装
Direct-FET
额定功率
125 W
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0028 Ω
极性
N-Channel
功耗
3.3 W
阈值电压
2.7 V
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
20A
上升时间
32 ns
输入电容值(Ciss)
11560pF @25V(Vds)
下降时间
41 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.3W (Ta), 125W (Tc)

IRF7769L2TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
9.15 mm
宽度
7.1 mm
高度
0.74 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF7769L2TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.25 MByte
Infineon(英飞凌)
22 页 / 0.35 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.19 MByte

IRF7769L2 数据手册

Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 124 A, 100 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.7 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
MOSFET,Infineon### 电动机控制 MOSFETInfineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。 ### 同步整流器 MOSFET同步整流 MOSFET 设备的组合,适用于交流-直流电源,支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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