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FDG332PZ
器件3D模型
0.111
FDG332PZ 数据手册 (6 页)
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FDG332PZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SC-70-6
通道数
1 Channel
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.073 Ω
极性
P-Channel
功耗
750 mW
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
2.6A
上升时间
4.8 ns
输入电容值(Ciss)
560pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
480 mW
下降时间
28 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
750mW (Ta)

FDG332PZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDG332PZ 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.2 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.32 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.06 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

FDG332 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG332PZ  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.6 A, -20 V, 0.073 ohm, -4.5 V, -700 mV
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDG332PZ, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装
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