器件3D模型

￥ 0.16

FDY2000PZ 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SC-89-6

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDY2000PZ 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 350 mA, -20 V, 1.2 ohm, -4.5 V, -1.03 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDY2000PZ 数据手册 (6 页)

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FDY2000PZ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SC-89-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

1.2 Ω

极性

P-Channel

功耗

625 mW

漏源极电压(Vds)

20 V

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

350 mA

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

100pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

446 mW

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

0.625 W

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FDY2000PZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

1.7 mm

宽度

1.2 mm

高度

0.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDY2000PZ 符合标准

FDY2000PZ 海关信息

FDY2000PZ 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

6 页 / 0.19 MByte

FDY2000PZ 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.29 MByte

FDY2000PZ 开发手册

Fairchild（飞兆/仙童）

6 页 / 1.89 MByte

FDY2000PZ 产品描述及参数

Fairchild（飞兆/仙童）

6 页 / 0.19 MByte

FDY2000 数据手册

FDY2000PZ 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDY2000PZ 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 350 mA, -20 V, 1.2 ohm, -4.5 V, -1.03 V

FDY2000PZ 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor PowerTrench 系列双 Si P沟道 MOSFET FDY2000PZ, 350 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-523 (SC-89)封装

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