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FDG6304P 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

SOT-363-6

描述:

场效应管, MOSFET, P沟道, -25V, -410mA, SC-70, 整卷

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDG6304P 数据手册 (5 页)

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FDG6304P 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

6 Pin

封装

SOT-363-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.85 Ω

功耗

300 mW

阈值电压

820 mV

漏源极电压(Vds)

25 V

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

62pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

300 mW

下降时间

35 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300 mW

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FDG6304P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FDG6304P 符合标准

FDG6304P 概述

FDG6304P 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.1 MByte

FDG6304P 产品设计参考手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.45 MByte

FDG6304P 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

17 页 / 2.07 MByte

FDG6304P 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.05 MByte

FDG6304P 开发手册

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19 页 / 1.07 MByte

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