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FDG6306P
器件3D模型
1.057
FDG6306P 数据手册 (5 页)
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FDG6306P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
-20.0 V
额定电流
-600 mA
封装
SC-70-6
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.3 Ω
极性
P-Channel
功耗
300 mW
输入电容
114 pF
栅电荷
1.40 nC
漏源极电压(Vds)
20 V
栅源击穿电压
±12.0 V
连续漏极电流(Ids)
600 mA
上升时间
14 ns
输入电容值(Ciss)
114pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
300 mW
下降时间
1.7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
0.3 W

FDG6306P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDG6306P 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.17 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.27 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.06 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.06 MByte

FDG6306 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6306P  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -600 mA, -20 V, 0.3 ohm, -4.5 V, -1.2 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDG6306P, 600 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
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