器件3D模型

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FDG6306P 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SC-70-6

描述:

ON Semiconductor PowerTrench 系列双 Si P沟道 MOSFET FDG6306P, 600 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDG6306P 数据手册 (7 页)

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FDG6306P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SC-70-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.3 Ω

功耗

300 mW

阈值电压

1.2 V

漏源极电压(Vds)

20 V

上升时间

14 ns

输入电容值(Ciss)

114pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

300 mW

下降时间

1.7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300 mW

FDG6306P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

FDG6306P 符合标准

FDG6306P 概述

FDG6306P 数据手册

FDG6306P 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.29 MByte

FDG6306P 产品描述及参数

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5 页 / 0.27 MByte

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