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FDG6306P_NL
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FDG6306P_NL 数据手册 (6 页)
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FDG6306P_NL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SC-70
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
0.6A

FDG6306P_NL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

FDG6306P_NL 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.06 MByte

FDG6306 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6306P  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -600 mA, -20 V, 0.3 ohm, -4.5 V, -1.2 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDG6306P, 600 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
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