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FDG6316P
器件3D模型
0.093
FDG6316P 数据手册 (2 页)
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FDG6316P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
-12.0 V
额定电流
-700 mA
封装
SC-70-6
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.221 Ω
极性
P-Channel, Dual P-Channel
功耗
300 mW
输入电容
146 pF
栅电荷
1.70 nC
漏源极电压(Vds)
12 V
漏源击穿电压
-12.0 V
栅源击穿电压
±8.00 V
连续漏极电流(Ids)
-700 mA
上升时间
13 ns
输入电容值(Ciss)
146pF @6V(Vds)
额定功率(Max)
300 mW
下降时间
2 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
0.3 W

FDG6316P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDG6316P 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.19 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.27 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.14 MByte

FDG6316 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6316P  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 700 mA, -12 V, 0.221 ohm, -4.5 V, -600 mV
ON Semiconductor(安森美)
PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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