器件3D模型

￥ 0.121

FDG6318P 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SC-70-6

描述:

FET，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDG6318P 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FDG6318P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-500 mA

封装

SC-70-6

通道数

2 Channel

漏源极电阻

780 mΩ

极性

P-Channel

功耗

0.3 W

输入电容

83.0 pF

栅电荷

860 pC

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

500 mA

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

83pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

300 mW

下降时间

1 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

0.3 W

查看数据手册 >

FDG6318P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

FDG6318P 符合标准

FDG6318P 海关信息

FDG6318P 概述