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FDMA291P
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FDMA291P 数据手册 (7 页)
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FDMA291P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
-20.0 V
额定电流
-6.60 A
封装
WDFN-6
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.036 Ω
极性
P-Channel
功耗
2.4 W
输入电容
1.00 nF
栅电荷
14.0 nC
漏源极电压(Vds)
20 V
栅源击穿电压
±8.00 V
连续漏极电流(Ids)
-6.60 A
上升时间
9 ns
输入电容值(Ciss)
1000pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
900 mW
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
2.4W (Ta)

FDMA291P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
2 mm
高度
0.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDMA291P 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.33 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.38 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 1.89 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.24 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.65 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

FDMA291 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMA291P  晶体管, MOSFET, P沟道, 6.6 A, -20 V, 0.036 ohm, -700 mV, -700 mV
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMA291P, 6.6 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
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