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器件3D模型
¥ 4.638
IRS23364DSPBF 数据手册 - Infineon(英飞凌)
制造商:
Infineon(英飞凌)
分类:
FET驱动器
封装:
SOIC-28
描述:
INFINEON IRS23364DSPBF 驱动器芯片, 3相桥接, 11.5V-20V电源, 350mA输出, 530ns延迟, SOIC-28
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
IRS23364DSPBF 数据手册 (49 页)
封装尺寸
在
40 页
41 页
42 页
典型应用电路图
在
1 页
4 页
13 页
14 页
原理图
在
4 页
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IRS23364DSPBF 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
28 Pin
电源电压
11.5V (min)
封装
SOIC-28
额定功率
1.6 W
上升/下降时间
125ns, 50ns
输出接口数
6 Output
输出电压
600 V
输出电流
200.350 mA
通道数
6 Channel
针脚数
28 Position
功耗
1600 mW
下降时间(Max)
75 ns
上升时间(Max)
190 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1600 mW
电源电压
11.5V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
11.5 V
查看数据手册 >
IRS23364DSPBF 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
长度
18.1 mm
宽度
7.6 mm
高度
2.35 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >
IRS23364DSPBF 符合标准
IRS23364DSPBF 海关信息
IRS23364DSPBF 概述
●
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,Infineon
●
一系列半桥驱动器设计用于控制 3 相应用中的 MOSFET 和 IGBT 功率设备。该设备具有 600 V 的最大阻塞电压,且使用 CMOS 和 TTL 兼容的信号级别进行低侧控制。
●
### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
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IRS23364DSPBF 数据手册
IRS23364DSPBF
数据手册
Infineon(英飞凌)
49 页 / 0.96 MByte
IRS23364DSPBF
产品设计参考手册
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
IRS23364DSPBF
其他数据使用手册
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
IRS23364DSPBF
开发手册
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte
IRS23364DSPBF
产品修订记录
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.1 MByte
IRS23364 数据手册
IRS23364
DJPBF
数据手册
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRS23364DJPBF 驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 11.5V-20V电源, 350mA输出, 530ns延迟, LCC-44
IRS23364
DSPBF
数据手册
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRS23364DSPBF 驱动器芯片, 3相桥接, 11.5V-20V电源, 350mA输出, 530ns延迟, SOIC-28
IRS23364
DSTRPBF
数据手册
Infineon(英飞凌)
半桥 IGBT MOSFET 灌:200mA 拉:350mA
IRS23364
DJTRPBF
数据手册
Infineon(英飞凌)
IRS23364
DSPBF
数据手册
International Rectifier(国际整流器)
IRS23364
DJPBF
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International Rectifier(国际整流器)
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DSTRPBF
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