￥ 1.101

FDMC86102L 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

MLP-8

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC86102L 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 100 V, 0.0189 ohm, 10 V, 1.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDMC86102L 数据手册 (18 页)

封装尺寸在17 页

典型应用电路图在1 页

原理图在4 页

FDMC86102L 数据手册 (18 页)

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FDMC86102L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

MLP-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0189 Ω

极性

N-Channel

功耗

41 W

阈值电压

1.8 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

输入电容值(Ciss)

1330pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

2.3 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.3W (Ta), 41W (Tc)

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FDMC86102L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.3 mm

宽度

3.3 mm

高度

0.725 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDMC86102L 符合标准

FDMC86102L 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

18 页 / 0.14 MByte

FDMC86102L 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

9 页 / 0.46 MByte

FDMC86102L 产品修订记录

Fairchild（飞兆/仙童）

4 页 / 0.22 MByte

FDMC86102 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC86102 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 100 V, 0.0194 ohm, 10 V, 3.1 V

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC86102LZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 100 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.6 V

FDMC86102L 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC86102L 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 100 V, 0.0189 ohm, 10 V, 1.8 V

FDMC86102LZ 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86102LZ, 22 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装

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PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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