器件3D模型

￥ 0.17

NTMS4800NR2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

功率MOSFET的30 V ， 8 A， N沟道， SOIC- 8 Power MOSFET 30 V, 8 A, N−Channel, SOIC−8

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NTMS4800NR2G 数据手册 (5 页)

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NTMS4800NR2G 数据手册 (5 页)

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NTMS4800NR2G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

通道数

1 Channel

极性

N-Channel

功耗

750mW (Ta)

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

6.40 A

上升时间

4 ns

输入电容值(Ciss)

940pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

750 mW

下降时间

6.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

750mW (Ta)

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NTMS4800NR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTMS4800NR2G 符合标准

NTMS4800NR2G 概述

NTMS4800NR2G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.13 MByte

NTMS4800NR2G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

24 页 / 1 MByte

NTMS4800NR2 数据手册

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