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FDMS6681Z 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）
制造商:
ON Semiconductor（安森美）
分类:
MOS管
封装:
PowerTDFN-8
描述:
PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FDMS6681Z P-Channel PowerTrench
®
MOSFET
www.fairchildsemi.com
5©2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS6681Z Rev.1.4
Figure 13. Single Pulse Maximum
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
10000
100000
P
(PK)
, PEAK TRANSIENT POWER (W)
SINGLE PULSE
R
θJC
= 1.7
o
C/W
T
C
= 25
o
C
t, PULSE WIDTH (s)
Power Dissipation
Figure 14.
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
0.001
0.01
0.1
1
SINGLE PULSE
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
r(t), NORMALIZED EFFECTIVE
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
2
NOTES:
Z
θJC
(t) = r(t) x R
θJC
R
θJC
= 1.7
o
C/W
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
Peak T
J
= P
DM
x Z
θJC
(t) + T
C
P
DM
t
1
t
2
Transient Thermal Response Curve
Typical Characteristics T
J
= 25 °C unless otherwise noted.
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