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￥ 9.96
FDMS8090 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）
制造商:
Fairchild（飞兆/仙童）
分类:
MOS管
封装:
Power-56-8
描述:
PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Pictures:
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焊盘图
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FDMS8090数据手册
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April 2013
FDMS8090 PowerTrench
®
Symmetrical Dual
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation 1 www.fairchildsemi.com
FDMS8090 Rev.C1
Bottom
Top
G1
S1
S1
S1
D1
D2
G2
S2
S2
S2
G2
S2
S2
S2
G1
S1 S1
S1
Pin 1
Pin 1
1
2
3
4
8
7
6
5
Contact to D1
(backside)
Q1 Q2
Contact to D2
(backside)
Power 56
FDMS8090
PowerTrench
®
Symmetrical Dual
100 V N-Channel MOSFET
Features
Max r
DS(on)
= 13 mΩ at V
GS
= 10 V, I
D
= 10 A
Max r
DS(on)
= 20 mΩ at V
GS
= 6 V, I
D
= 8 A
Low inductance packaging shortens rise/fall times, resulting in
lower switching losses
MOSFET integration enables optimum layout for lower circuit
inductance and reduced switch node ringing
100% UIL tested
RoHS Compliant
General Description
This device includes two fast switching (Qgd minimized) 100V
N-Channel MOSFETs in a dual Power 56 (5 mm X 6 mm MLP)
package. The package is enhanced for exceptional thermal
performance.
Applications
Bridge Topologies
Synchronous Rectifier Pair
Motor Drives
MOSFET Maximum Ratings T
A
= 25 °C unless otherwise noted
Thermal Characteristics
Package Marking and Ordering Information
Symbol Parameter Ratings Units
V
DS
Drain to Source Voltage 100 V
V
GS
Gate to Source Voltage ±20 V
I
D
Drain Current -Continuous T
C
= 25 °C 40
A -Continuous T
A
= 25 °C (Note 1a) 10
-Pulsed (Note 4) 120
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy (Note 3) 253 mJ
P
D
Power Dissipation T
C
= 25 °C 59
W
Power Dissipation T
A
= 25 °C (Note 1a) 2.2
T
J
, T
STG
Operating and Storage Junction Temperature Range -55 to +150 °C
R
θJC
Thermal Resistance, Junction to Case 2.1
°C/W
R
θJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1a) 55
Device Marking Device Package Reel Size Tape Width Quantity
FDMS8090 FDMS8090 Power 56 13 ’’ 12
mm 3000 units
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