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FDMS86163P
器件3D模型
0.893
FDMS86163P 数据手册 (9 页)
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FDMS86163P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
QFN
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0178 Ω
功耗
104 W
阈值电压
2.8 V
漏源极电压(Vds)
100 V
上升时间
8.8 ns
输入电容值(Ciss)
3070pF @50V(Vds)
下降时间
6.9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
104 W

FDMS86163P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
5.85 mm
高度
1.05 mm

FDMS86163P 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.42 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.52 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 1.47 MByte

FDMS86163 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
PowerTrench® P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS86163P  晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -100 V, 17.8 ohm, -10 V, -2.8 V 新
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