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FDN304P
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FDN304P 数据手册 (6 页)
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FDN304P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-20.0 V
额定电流
-2.40 A
封装
SOT-23-3
额定功率
0.5 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
52 mΩ
极性
P-Channel
功耗
500 mW
输入电容
1.31 nF
栅电荷
12.0 nC
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
-200 V
栅源击穿电压
±8.00 V
连续漏极电流(Ids)
2.40 A
上升时间
15 ns
输入电容值(Ciss)
1312pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
460 mW
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500mW (Ta)

FDN304P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.92 mm
宽度
1.4 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDN304P 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.17 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.21 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.37 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.15 MByte

FDN304 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN304P  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 52 mohm, -4.5 V, -800 mV
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN304PZ  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 0.036 ohm, -4.5 V, -800 mV
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN304P, 2.4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN304PZ, 2.4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
Freescale(飞思卡尔)
集成电路
Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
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