Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > FDN304PZ Datasheet 文档
FDN304PZ
0.083
FDN304PZ 数据手册 (6 页)
查看文档
或点击图片查看大图

FDN304PZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-20.0 V
额定电流
-2.40 A
封装
SOT-23-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.036 Ω
极性
P-Channel
功耗
500 mW
输入电容
1.31 nF
栅电荷
12.0 nC
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20 V
栅源击穿电压
±8.00 V
连续漏极电流(Ids)
-2.40 A
上升时间
15 ns
输入电容值(Ciss)
1310pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
460 mW
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500mW (Ta)

FDN304PZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.92 mm
宽度
1.4 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDN304PZ 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.19 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
14 页 / 0.19 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.12 MByte

FDN304 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN304P  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 52 mohm, -4.5 V, -800 mV
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN304PZ  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 0.036 ohm, -4.5 V, -800 mV
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN304P, 2.4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN304PZ, 2.4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
Freescale(飞思卡尔)
集成电路
Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z