器件3D模型

￥ 0.164

NTJD1155LT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SC-88-6

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTJD1155LT1G 场效应管, MOSFET, P沟道, -8V, SC-88

Pictures:

3D模型

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焊盘图

引脚图

产品图

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NTJD1155LT1G 数据手册 (5 页)

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NTJD1155LT1G 数据手册 (5 页)

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NTJD1155LT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电流

630 mA

封装

SC-88-6

输出接口数

1 Output

输出电流

1 A

通道数

2 Channel

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.175 Ω

极性

P-Channel

功耗

400 mW

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

8 V

栅源击穿电压

1.00 V

连续漏极电流(Ids)

1.30 A

输入电压(Min)

1.8 V

输出电流(Min)

1 A

额定功率(Max)

400 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

400 mW

输入电压

8 V

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NTJD1155LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.2 mm

宽度

1.25 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTJD1155LT1G 符合标准

NTJD1155LT1G 海关信息

NTJD1155LT1G 概述